三星HBM4内存模块首次亮相，AI计算新标杆
发布时间：
2025-10-23 10:22:57
来源： 保山日报网
在科技飞速发展的今天，内存技术的每一次革新都牵动着整个行业的神经。近日，三星首次向公众展示了其HBM4内存模块，这一举动不仅彰显了这家韩国科技巨头在内存领域的深厚底蕴，更预示着其在即将到来的HBM竞争中已做好充分准备。
尽管当前市场上，第五代HBM3E芯片仍占据主导地位，但业内观察人士普遍预测，HBM4将成为明年的主流选择。这主要得益于Nvidia计划在其下一代AI加速器Rubin中采用HBM4技术，从而推动整个行业向更高性能的内存解决方案迈进。
作为HBM3E的主要供应商，SK海力士目前与Nvidia和台积电形成了稳固的三方供应链。该公司不仅已完成HBM4的开发，更在积极准备量产，并与Nvidia就大规模供应事宜进行洽谈。这一系列动作无疑加剧了HBM市场的竞争态势。
对于长期占据内存市场主导地位，但近期在HBM领域遭遇挑战的三星电子而言，HBM4系列的推出被视为重新获得竞争优势的关键。在今年3月份的股东大会上，三星电子半导体部门负责人全永铉明确表示，将按计划推进HBM4产品的研发和量产，以避免重蹈HBM3E市场的覆辙。
根据研究公司Counterpoint Research的最新报告，SK海力士在第二季度的HBM出货量方面领先，占有62%的市场份额，其次是美光科技公司（21%）和三星电子（17%）。这一数据进一步凸显了HBM市场的激烈竞争。
HBM4之所以成为当今市场上最“尊贵”的计算必需品之一，主要得益于其在提升AI性能方面的卓越表现。三星、SK海力士和美光等韩国HBM制造商正全力以赴，向全球展示具有竞争力的HBM4解决方案。在主流HBM制造商中，三星是在该领域经历多年低迷后强势回归的企业之一。在2025年半导体展览会（SEDEX）上，三星向公众展示了其HBM4工艺，引发了广泛关注。
据报道，三星正在努力避免重蹈在DRAM领域失去主导地位的覆辙。为了确保不落后于竞争对手，这家韩国巨头正与SK海力士和美光等一起推进HBM4的量产。据《电子时报》报道，三星HBM4逻辑芯片的良率已达到惊人的90%，这表明该公司的量产进度已步入正轨，且目前预计不会出现延期。
为了确保HBM4的早期普及，三星还在实施多项策略，包括保持有竞争力的价格、提供更高的产能，以及为NVIDIA等客户提供更快的引脚速度（额定速度约为11 Gbps），这一速度高于SK海力士和美光的预期。尽管三星尚未获得NVIDIA的HBM4供应批准，但考虑到该技术取得的显著进展，这家韩国巨头无疑对此持乐观态度。
除了三星之外，SK海力士也在此次展会上展示了其与台积电合作开发的HBM4模块。考虑到三星的快速发展以及市场需求达到前所未有的水平，可以预见的是，DRAM市场的未来竞争将会更加激烈。
三巨头竞逐HBM4，千亿美元市场待分羹
SK海力士、美光科技和三星电子正在展开激烈竞争，以争夺HBM4市场的主导地位。该市场价值估计高达1000亿美元（141万亿韩元），吸引了众多科技巨头的目光。
继SK海力士上个月完成下一代HBM4开发并建立量产系统后，三星电子也已开始为HBM4的量产做准备。与此同时，美国美光公司近日宣布，其下一代HBM4内存样品已开始出货，其性能和效率均创下了历史新高。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“该模块实现了超过2.8TB/s的带宽和超过11Gbps的针脚速度。”这些数据大大超过了JEDEC HBM4官方规范的2TB/s和8Gbps，彰显了美光在HBM4技术上的领先地位。
美光科技已开始出货12-Hi HBM4样品，以支持主要客户平台的升级。该公司声称该产品提供业界领先的性能和一流的能效，并补充说其12-Hi HBM4产品的主要差异化优势包括美光科技的1-gamma DRAM以及基于CMOS的专有芯片和封装创新。
关于通过逻辑芯片定制选项扩展基础设计的HBM4E，美光宣布它不仅会提供标准产品，还会提供基础逻辑芯片的定制选项。首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“定制需要与客户密切合作，我们预计采用定制基础逻辑芯片的HBM4E将比标准HBM4E提供更高的毛利率。”他补充道：“这项与台积电合作开发的技术，使NVIDIA和AMD等关键客户能够定制设计具有优化内存堆栈的加速器，以实现低延迟和更好的数据包路由。”
美光公司计划今年在价值1000亿美元的HBM市场中占据比去年大幅提高的市场份额，并预计今年高带宽内存领域的收入将超过80亿美元。
作为HBM领域的龙头企业，SK海力士宣布已于3月份领先美光、三星等向NVIDIA等大客户出货12-Hi HBM4样品，并于9月份开始准备量产。SK海力士出样的12-Hi HBM4产品采用台积电12nm工艺制造逻辑芯片，数据处理速度超过每秒2TB（兆兆字节）。不过，目前尚不清楚这款产品是否超越了美光12-Hi HBM4产品，后者的带宽超过2.8TB/s。
SK Hynix还计划为其HBM4E系列提供“定制HBM4E”产品，以满足NVIDIA、Broadcom和AMD等客户的需求。据报道，三星电子已于9月向NVIDIA等客户交付了HBM4样品，其运行速度提升至每秒11Gbps，与美光的规格一致。三星也正在为HBM4的量产做准备，目标是在今年内开始。
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
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尽管当前市场上，第五代HBM3E芯片仍占据主导地位，但业内观察人士普遍预测，HBM4将成为明年的主流选择。这主要得益于Nvidia计划在其下一代AI加速器Rubin中采用HBM4技术，从而推动整个行业向更高性能的内存解决方案迈进。
作为HBM3E的主要供应商，SK海力士目前与Nvidia和台积电形成了稳固的三方供应链。该公司不仅已完成HBM4的开发，更在积极准备量产，并与Nvidia就大规模供应事宜进行洽谈。这一系列动作无疑加剧了HBM市场的竞争态势。
对于长期占据内存市场主导地位，但近期在HBM领域遭遇挑战的三星电子而言，HBM4系列的推出被视为重新获得竞争优势的关键。在今年3月份的股东大会上，三星电子半导体部门负责人全永铉明确表示，将按计划推进HBM4产品的研发和量产，以避免重蹈HBM3E市场的覆辙。
根据研究公司Counterpoint Research的最新报告，SK海力士在第二季度的HBM出货量方面领先，占有62%的市场份额，其次是美光科技公司（21%）和三星电子（17%）。这一数据进一步凸显了HBM市场的激烈竞争。
HBM4之所以成为当今市场上最“尊贵”的计算必需品之一，主要得益于其在提升AI性能方面的卓越表现。三星、SK海力士和美光等韩国HBM制造商正全力以赴，向全球展示具有竞争力的HBM4解决方案。在主流HBM制造商中，三星是在该领域经历多年低迷后强势回归的企业之一。在2025年半导体展览会（SEDEX）上，三星向公众展示了其HBM4工艺，引发了广泛关注。
据报道，三星正在努力避免重蹈在DRAM领域失去主导地位的覆辙。为了确保不落后于竞争对手，这家韩国巨头正与SK海力士和美光等一起推进HBM4的量产。据《电子时报》报道，三星HBM4逻辑芯片的良率已达到惊人的90%，这表明该公司的量产进度已步入正轨，且目前预计不会出现延期。
为了确保HBM4的早期普及，三星还在实施多项策略，包括保持有竞争力的价格、提供更高的产能，以及为NVIDIA等客户提供更快的引脚速度（额定速度约为11 Gbps），这一速度高于SK海力士和美光的预期。尽管三星尚未获得NVIDIA的HBM4供应批准，但考虑到该技术取得的显著进展，这家韩国巨头无疑对此持乐观态度。
除了三星之外，SK海力士也在此次展会上展示了其与台积电合作开发的HBM4模块。考虑到三星的快速发展以及市场需求达到前所未有的水平，可以预见的是，DRAM市场的未来竞争将会更加激烈。
三巨头竞逐HBM4，千亿美元市场待分羹
SK海力士、美光科技和三星电子正在展开激烈竞争，以争夺HBM4市场的主导地位。该市场价值估计高达1000亿美元（141万亿韩元），吸引了众多科技巨头的目光。
继SK海力士上个月完成下一代HBM4开发并建立量产系统后，三星电子也已开始为HBM4的量产做准备。与此同时，美国美光公司近日宣布，其下一代HBM4内存样品已开始出货，其性能和效率均创下了历史新高。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“该模块实现了超过2.8TB/s的带宽和超过11Gbps的针脚速度。”这些数据大大超过了JEDEC HBM4官方规范的2TB/s和8Gbps，彰显了美光在HBM4技术上的领先地位。
美光科技已开始出货12-Hi HBM4样品，以支持主要客户平台的升级。该公司声称该产品提供业界领先的性能和一流的能效，并补充说其12-Hi HBM4产品的主要差异化优势包括美光科技的1-gamma DRAM以及基于CMOS的专有芯片和封装创新。
关于通过逻辑芯片定制选项扩展基础设计的HBM4E，美光宣布它不仅会提供标准产品，还会提供基础逻辑芯片的定制选项。首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“定制需要与客户密切合作，我们预计采用定制基础逻辑芯片的HBM4E将比标准HBM4E提供更高的毛利率。”他补充道：“这项与台积电合作开发的技术，使NVIDIA和AMD等关键客户能够定制设计具有优化内存堆栈的加速器，以实现低延迟和更好的数据包路由。”
美光公司计划今年在价值1000亿美元的HBM市场中占据比去年大幅提高的市场份额，并预计今年高带宽内存领域的收入将超过80亿美元。
作为HBM领域的龙头企业，SK海力士宣布已于3月份领先美光、三星等向NVIDIA等大客户出货12-Hi HBM4样品，并于9月份开始准备量产。SK海力士出样的12-Hi HBM4产品采用台积电12nm工艺制造逻辑芯片，数据处理速度超过每秒2TB（兆兆字节）。不过，目前尚不清楚这款产品是否超越了美光12-Hi HBM4产品，后者的带宽超过2.8TB/s。
SK Hynix还计划为其HBM4E系列提供“定制HBM4E”产品，以满足NVIDIA、Broadcom和AMD等客户的需求。据报道，三星电子已于9月向NVIDIA等客户交付了HBM4样品，其运行速度提升至每秒11Gbps，与美光的规格一致。三星也正在为HBM4的量产做准备，目标是在今年内开始。
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